Qualcomm'un Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 işlemcisine ait mühendislik prototipi, Snapdragon Summit'in başlamasından bir gün önce yayımlanan videoyla ortaya çıktı. Görüntüler, şirketin ilk 2 nm mobil yongasının teknik özelliklerinin yanı sıra yeni paketleme yapısını ve Geekbench 6 sonuçlarını da gösterdi.
Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6'nın işlemci kümesi, Qualcomm'un uzun süredir kullandığı yapıdan farklı olarak “2 + 3 + 3” düzenine sahip. En yüksek performansı hedefleyen iki çekirdek 5,10 GHz frekansında çalışıyor. Bunları 4,00 GHz hızındaki üç çekirdek ile 3,74 GHz frekansına ulaşan üç çekirdek izliyor.
Qualcomm'un yıllar sonra çekirdek düzeninde değişikliğe gitmesinde TSMC'nin geliştirilmiş 2 nm “N2P” üretim sürecine geçişin ve yeni yonga paketinin etkili olduğu değerlendiriliyor. Daha yüksek saat hızları, işlemcinin özellikle kısa süreli performans testlerinde iddialı sonuçlar vermesini sağlıyor.
Apple A20 Pro tek çekirdekte üstünlüğünü korudu
Nonx_Official tarafından paylaşılan Geekbench 6 testinde Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 mühendislik prototipi, tek çekirdekte 4.327 ve çok çekirdekte 12.873 puana ulaştı. Apple A20 Pro ise aynı testte sırasıyla 4.725 ve 12.575 puan elde etti.
Bu sonuçlara göre Snapdragon prototipi çok çekirdek performansında A20 Pro'yu küçük bir farkla geçti. Tek çekirdek tarafında ise A20 Pro, Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6'dan yüzde 9,2 daha yüksek performans gösterdi. Böylece Apple'ın işlemcisi, paylaşılan Geekbench 6 karşılaştırmasında tek çekirdek liderliğini sürdürdü.
Testte kullanılan Snapdragon işlemcisinin bir mühendislik prototipinde çalışması, sonuçların doğrudan satışa çıkacak telefonların performansını temsil etmeyebileceği anlamına geliyor. Bu tür prototiplerde yongalar daha yüksek güç sınırlarıyla çalıştırılabildiği için ticari cihazların hem tek hem de çok çekirdek puanları daha düşük olabilir. Kesin değerlendirme için farklı cihazlardan alınacak ek sonuçların görülmesi gerekiyor.
Yeni paketlemede ısı aktarım bloğu kullanıldı
Videoda dikkat çeken bir diğer ayrıntı, işlemcinin yeni paketleme tasarımı oldu. Qualcomm, Samsung'un Exynos 2600'de kullandığı çözüme benzeyen bir Heat Pass Block ekledi. Görünür durumdaki bu soğutma bileşeni, işlemcide oluşan ısının daha hızlı uzaklaştırılmasını amaçlıyor. Daha etkili ısı aktarımı, uzun süreli yoğun kullanımda performansın korunmasına yardımcı olabilir.
Buna karşılık Samsung üretimi DRAM, Apple'ın A20 Pro'da tercih ettiği yan yerleşim yerine Snapdragon yongasının üzerinde bulunmayı sürdürüyor. Bu düzenin sıcaklık ve devamlı performans üzerindeki etkisi, işlemciyi kullanan ticari cihazlar test edilmeden netlik kazanmayacak.
Sızdırılan video; çekirdek frekanslarını, ön performans sonuçlarını ve yeni paketleme yaklaşımını gösterse de işlemciye ilişkin tüm ayrıntıları içermiyor. Qualcomm'un Snapdragon Summit kapsamında yapacağı resmi tanıtımın, videoda yer almayan teknik bilgileri açıklığa kavuşturması bekleniyor.
